Патент на изобретение: Способ определения концентрации примесей в монокристалле

---

Федоров В.В., Кузнецов И.А., Лапин Е.Г., Семенихин С.Ю., Воронин В.В., Брагинец Ю.П., Вежлев Е.О.

Использование: для определения концентрации примесей в монокристалле. Сущность изобретения заключается в том, что в нейтронном спектрометре обратного рассеяния изменяют температуру эталонного кристалла до момента, когда межплоскостное расстояние эталонного кристалла совпадет с межплоскостным расстоянием исследуемого кристалла, и вычисляют относительное изменение межплоскостного расстояния исследуемого кристалла в данной точке. Измерение величины межплоскостного расстояния исследуемого кристалла относительно эталонного проводят в нескольких «m» точках, по всем измеренным точкам исследуемого кристалла, вычисляют среднее значение межплоскостного расстояния исследуемого кристалла, определяют изменение пространственного распределения концентрации примесей для каждой точки исследуемого кристалла относительно полученного среднего значения. Технический результат: обеспечение возможности получения многомерной картины распределения примесей.

Патент на изобретение № 2541700 (заявка № 2013145161). Приоритет изобретения 08 октября 2013 г. Зарегистрировано 15 января 2015 г. Срок действия патента истекает 08 октября 2033 г.

• https://elibrary.ru/item.asp?id=37426106